Муқаддима: Мушкилоти техникӣ дар электроникаи автомобилӣ ваНавовариҳои Capel

Ҳангоме ки ронандагии худмухтор ба самти L5 ва системаҳои идоракунии батареяи автомобили барқӣ (EV) инкишоф меёбад (BMS) зичии баландтари энергия ва бехатариро талаб мекунад, технологияҳои анъанавии PCB барои ҳалли масъалаҳои муҳим мубориза мебаранд:

• Хатарҳои гармидиҳӣ: Чипсетҳои ECU аз истеъмоли қувваи барқ ​​80 Вт зиёданд ва ҳарорати маҳаллӣ ба 150 ° C мерасад
• Маҳдудиятҳои ҳамгироии 3D: BMS 256+ канали сигналро дар доираи ғафсии тахтаи 0,6 мм талаб мекунад
• Нокомиҳои ларзиш: Сенсорҳои мустақил бояд ба зарбаҳои механикии 20G тоб оваранд
• Талаботи миниатюризатсия: Контроллерҳои LiDAR паҳнои 0,03 мм ва қабати 32-қабатаро талаб мекунанд

Capel Technology, ки 15 соли R&D-ро истифода мебарад, як ҳалли тағирёбандаро муаррифӣ мекунадPCB-ҳои гармидиҳии баланд(2,0 Вт/мК),PCB-ҳои ба ҳарорати баланд тобовар(-55°C~260°C), ва32-қабатHDI дафн / кӯр тавассути технология(0,075 мм микровиа).

Бахши 1: Инқилоби идоракунии гармӣ барои ECU-ҳои ронандагии худмухтор

1.1 Мушкилоти гармидиҳии ECU

• Зичии гармии чипсет Nvidia Orin: 120W / см²
• Субстратҳои анъанавии FR-4 (0,3 Вт/мК) боиси 35% аз ҳад зиёди ҳарорати пайвастшавии чип мешаванд
• 62% нокомии ECU аз хастагии гармии аз фишори кафшер ба вуҷуд омадаанд

1.2 Технологияи оптимизатсияи гармии Capel

Навовариҳои моддӣ:

• Субстратҳои полиимиди нано-глиноземӣ тақвиятёфта (2,0±0,2Вт/мК)
• Массивҳои сутуни мисии 3D (400% зиёдтар майдони паҳншавии гармӣ)

Пешрафтҳои раванд:

• Сохтори мустақими лазерӣ (LDS) барои роҳҳои оптимизатсияшудаи гармӣ
• Стекинги гибридӣ: миси ултра борик 0,15 мм + қабатҳои миси вазнин 2 oz

Муқоисаи иҷроиш:

Бахши 2: Инқилоби ноқилҳои BMS бо технологияи 32-қабати HDI

2.1 Нуқтаҳои дарди саноат дар тарҳрезии BMS

• Платформаҳои 800В 256+ каналҳои мониторинги шиддати ҳуҷайраро талаб мекунанд
• Тарҳҳои анъанавӣ аз ҳудуди фазо 200% бо номутобиқатии 15% импеданс зиёданд

2.2 Қарорҳои баланд-зичии байниҳамдигарии Capel

Муҳандисии Stackup:

• 1+N+1 сохтори ҳар як қабати HDI (32 қабат дар ғафсии 0,035 мм)
• Назорати импеданси дифференсиалии ±5% (сигналҳои баландсуръати 10 Гбит/с)

Технологияи Microvia:

• 0,075 мм лазерӣ-кӯр (таносуби 12:1)
• <5% сатҳи холигии пӯсида (мувофиқ ба IPC-6012B Синфи 3)

Натиҷаҳои муқоисавӣ:

Бахши 3: Эътимоднокии аз ҳад зиёди муҳити зист – Solutions Certified MIL-SPEC

3.1 Иҷрои мавод дар ҳарорати баланд

• Ҳарорати гузариши шиша (Tg): 280°C (IPC-TM-650 2.4.24C)
• Ҳарорати таҷзия (Td): 385 ° C (5% талафоти вазн)
• Зиндагӣ аз зарбаи гармӣ: 1000 давра (-55°C↔260°C)

3.2 Технологияҳои ҳифзи моликият

• Сарпӯши полимерии плазма (муқовимат ба дорупошии намак 1000 соат)
• Хонаҳои муҳофизаткунандаи 3D EMI (камшавии 60дБ @10 ГГц)

Бахши 4: Омӯзиши мисол - Ҳамкорӣ бо Global Top 3 EV OEM

4.1 800V BMS Модули назорати

• Мушкилот: 512-канали AFE-ро дар фазои 85 × 60 мм муттаҳид кунед
• Ҳалли:
  1. 20-қабати сахт-флекси PCB (радиуси хамкунии 3мм)
  2. Шабакаи дарунсохташудаи сенсори ҳарорат (барои пайгирӣ 0,03 мм)
  3. Сардшавии локализатсияшудаи металлӣ (муқовимати гармии 0,15 ° C · см² / Вт)

4.2 Назоратчии домени мухтори L4

• Натиҷаҳо:
  • 40% кам кардани қувваи барқ ​​(72W → 43W)
  • 66% кам кардани андоза нисбат ба тарҳҳои анъанавӣ
  • Сертификатсияи бехатарии функсионалии ASIL-D

Бахши 5: Сертификатсия ва кафолати сифат

Системаи сифатии Capel аз стандартҳои автомобилӣ зиёдтар аст:

• Сертификатсияи MIL-SPEC: Бо GJB 9001C-2017 мувофиқ аст
• Мутобиқати автомобил: IATF 16949:2016 + Санҷиши AEC-Q200
• Санҷиши эътимоднокӣ:
  • 1000 соат HAST (130°C/85% RH)
  • Зарбаи механикии 50G (MIL-STD-883H)

Хулоса: Харитаи роҳи технологияи ояндаи PCB

Капел пешрав аст:

• Компонентҳои ғайрифаъоли дохилшуда (30% сарфаи ҷой)
• PCB-ҳои гибридии оптоэлектроникӣ (талафоти 0,2дБ/см @850нм)
• Системаҳои DFM, ки бо AI идора карда мешаванд (15% беҳтар шудани ҳосил)

Бо дастаи муҳандисии мо тамос гиредимрӯз барои якҷоя таҳия кардани қарорҳои фармоишии PCB барои электроникаи насли навбатии худ.